分析海力士、sandisk、美光我们也有3d闪存
三星电子率先量产了3d垂直堆叠的nand闪存，并宣布了基于它的首款固态硬盘，而在日前的闪存峰会上，sk海力士、sandisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3d闪存技术。还是首先看看三星的吧。移动硬盘是否支持无线传输,为了方便手机和电脑都能轻松连接，而不需要一些复杂的转接步骤，你需要思考自己要不要挑选一款无线移动硬盘。
现在已经能够做到24层堆叠，单颗容量128gb(16gb)，并计划2017年左右做到单颗1tb(128gb)。
全球首款基于3d v-nand闪存的固态硬盘，乍一看和普通产品没啥区别。
3d闪存达到同等容量固态硬盘所需的颗粒更少，而且性能更好(持续写入快22％随机写入快20％)、功耗更低(平均功耗低27％峰值功耗低45％)。
sk海力士在现场摆放了一块300毫米的闪存晶圆，正是使用3d堆叠技术制造的，单颗芯片容量和三星一样也是128gb(16gb)，属于mlc nand类型。
海力士预计2014年第一季度将其投入商用。
海力士的3d闪存晶圆
2d、3d nand闪存结构对比
sandisk则是与东芝一起开发3d nand，还起了个自己的名字“bics”，不过得到2015年下半年才会投入试产，看起来起步比较晚。
sandisk表示，届时会使用1z nm工艺。
——闪存行业一般不明确标识具体的制造工艺(至少初期)都很模糊，而是使用1x、1y、1z nm等标识方法，越往后越先进，比如1x目前基本代表19nm，1y应该在15nm左右，1z则会非常接近10nm。
sandisk nand闪存工艺、技术路线图：2013年底到2014年初投产1y nm，2014年底到2015年初投产1z nm，2015年下半年才有3d闪存
3d比较落后，sandisk就把介绍重点放在了2d闪存上
3d闪存上，sandisk要落后整整一个时代
一直在闪存行业处于领先地位的美光怎么能少了呢？但是对于3d闪存此番介绍得同样很模糊，只说会在合适的时候介绍给大家。
根据规划，美光即将量产16nm闪存工艺，接下来就会推出3d闪存，容量达256gb(32gb)，而且还是和intel合作的。